通的紫外光，在普通环境下便能完成光刻，意味着国产光刻机使用低成本光源，实现了更高分辨力的光刻。
制造成本只有ASML公司光刻机的几分之一，乃至十几分之一。
技术原理层面的突破，更是相当于别人在开山修路的时候，你打通了一条隧道。
不过超分辨纳米光刻机虽好，却也存在一个较为严重的缺陷。
那就是曝光时间过长。
尤其实在芯片领域，EUV光刻机曝光15秒便能完成的任务，超分辨光刻机需要十多天。
更加形象的比喻是，传统光刻机是直接拍出一张照片，超分辨光刻则是拿一支笔，慢慢画出一张图片……效率差别巨大。
……
商海微电子公司。
来到这家公司调研的陈今，看到面前的这台22纳米超分辨光刻机，听了该公司的老总张昱明的介绍后。
“你说这么好的设备，不能用于芯片的制造，为什么不能？”
陈今皱着眉头，这太可惜了吧。
“不是不能，而是太慢！我们想了各种办法提高它的曝光效率，但曝光一张影刻，依然需要五天的时间，效率是传统光刻几万分之一，这完全抵消了我们的成本优势，只适合给一些较小规模的市场，比如军用芯片、光学器件、高精密光栅、光子晶体阵列等等，这些领域我们的超分辨光刻机卖了好几十台。”
“但大规模的芯片制造，只能老老实实地发展传统光刻。”
张昱明摇着头道。
目前商微电子的10nm光刻机，走的就是193nm光源浸没式光刻路线，但制造成本太高，没有市场竞争力，又面临着ASML的专利壁垒，故而没有推向市场。
EUV光刻方面，商微电子与国内很多机构合作，取得了一定的突破，但也面临专利方面的问题。
很多高精尖设备，不是说Z国人打破不了垄断，而是专利壁垒挡在了那里。
“你们有没有办法加快它的曝光效率，赶上传统光刻机呢？”
陈今问道，他觉得超分辨光刻这条路线，真的可以继续走下去，应用于大规模芯片制造。
“办法有！但实现太难了，以现有的技术，几乎不可能实现。”
“你先说说你的办法。”
“增加‘笔’的数量，就是把光刻镜头做小！在手指头大小的光刻镜头内，集成1万个微型镜头，让这些微型镜头同时参与工作，完成集成电路
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