刚刚一众学者们交流学术，大家畅所欲言，都快忽略了罗晟。
而这个时候才回过神来，才意识到罗晟不仅仅是精通商业的企业家，还有更大的隐藏属性，那就是技术大咖。
罗晟显然没有说完，他盯着修改后的数学模型继续道：“还有一点，既然都是拿耗尽层的硅，插入一层氧化层，那么为什么非要放上一堆没用的硅在下面呢？直接在氧化层底下再弄一个栅极，两边夹着沟道，岂不是更爽？”
众人错愕了一阵，回过神来之后无不拍案叫绝，而罗晟补充道：“这还不够，既然如此，那还有什么必要非得把氧化层埋在硅里面呢？我完全可以把硅弄出来，像三明治一样包裹上绝缘层，外面再放上栅极，岂不是爽爆了？”
一位半导体研究学者激动万分的说道：“简直是天才般的设想，这样的方案不仅仅大大降低了漏电流，而且因为又多一个栅极，这两个栅极一般都是连在一起的，因此等于大大地增加了前面说过的那个绝缘层电容，也就是大大地提升了晶体管的开关性能，我敢下决断，这种三栅极晶体管，绝对是一次是在架构上的革命式的进步，不但是45纳米，在32纳米、22纳米、14纳米都有极大的想象空间，是摩尔定律的再次胜利。”
值得一提的是，半导体业工艺节点的演进是可以被预测的，摩尔定律也应运而生，也就是下一代芯片多少纳米。
例如130纳米、90纳米、65纳米、45纳米、32纳米、22纳米、14纳米、10纳米、7纳米（5纳米），会发现这是一个大约以0.7为比的等比数列，就是这个原因。
不过这只是一个命名习惯，跟实际尺寸还是有差距的。
此时此刻，与会的一众研究学者都很兴奋，不过在兴奋过后有人已经回归理性。
一位学者战术扶镜并说道：“这是个天才般的设计，基本上不用超算模拟验证我也敢下判断是可行的，但难的是实现这个设想。为什么呢？因为竖起来的那一部分硅，也就是用作沟道的硅，太薄了，只有不到10个纳米，不仅远小于晶体管的最小尺寸（目前），也远小于当前最精密的光刻机所能刻制的最小尺寸，如何把这个方案弄出来才是真正的难题啊。”
此话一出，其它兴奋的研究员们也都冷静了下来。
是啊，这个问题是没法回避的，最后绕来绕去又回到了光刻机这个难题上，目前最精密的光刻机都搞不定，何况华国根本就不可能买的到最先进的光刻机设备。
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