500度工作温度和高辐射等极端环境下工作的处理器。
虽然说华兴集团公司现在已经基本上掌握了氮化镓材料在发光二极管、射频器件和功率电子器件上的多种晶体管的制备工艺，当都是一些分立器件，算是掌握了器件层方面的技术。
但是要研发处理器还必须攻克系统级所面临的困难，主要是使用氮化镓晶体管实现非门和与非门电路的设计，难度还是来自于氮化镓材料和硅晶片材料的不同，现在的硅基集成电路工艺跟氮化镓材料的制程工艺是不兼容的，所以还有很长的路要走。
这个项目最关键的还是氮化镓这种宽禁带半导体选择性区域掺杂工艺技术，只有解决了这些难题，才能获得高性能氮化镓处理器。
不过华兴集团公司这十年来一直都是在这方面持续地进行研发，在掺杂工艺基础研究上已经是积累了大量的技术专利，杨杰对此还是很有信心的。
他给研发团队的也是制定了任务，在三年之内研发出第一颗氮化镓处理器出来。
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