备将晶片减薄到100纳米以下，可见起征点难度。
相比较而言，FinFet工艺缺点之一是其复杂的制造工艺，而soi工艺的绊脚石就是soi晶圆片的生产供应，soi晶圆成本能占到占总工艺成本的10％左右。
这两种工艺用来生产利润很高的芯片还是可以的，但是绝大多数的芯片成本就是要控制在一个很低的水平才有竞争力。
之前中晶微收购了特许半导体的晶圆厂是得到了一批传统金属氧化物半导体结构工艺的技术人员，但是很多的工艺都是要得到西方公司的生产工艺授权，技术源头还是来自于鹰酱国内的这些公司。
虽然这些年中晶微在金属氧化物半导体结构工艺上也是取得了一些技术专利，但是比起英特尔和万国商业机器公司来说还是跟在他们面追赶。
soi和FinFet结构其实英特尔和万国商业机器公司都是有在研究，凭着他们庞大的研发人员进行技术攻关在这些方面都是追得非常紧。
soi工艺与金属氧化物半导体工艺相比较的话，在28纳米节点，soi晶圆有一定的优势，但是到了20纳米和14纳米，soi的优势就很明显了，soi晶圆的成本低于金属氧化物半导体的，更远低于FinFet的晶圆成本。
杨杰清楚地知道只有高端计算机或者服务所用的高性能处理器能承受FinFet的高成本，从半导体产业发展来看，智能手机是重要的推动力量，不过智能手机处理器要承受价格和功耗的压力。
作为现阶段智能手机的巨头公司，华兴集团公司选择发展soi工艺自然是非常现实的选择，现在华兴集团公司自己已经能够开始生产绝缘体上硅晶圆片，但是soi工艺和金属氧化物半导体的工艺是相似的，到最后华兴集团公司还是要补上自己的技术短板。
英飞凌在金属氧化物半导体结构设计开发上是很拿手的，而且这些技术移植到soi难度并不大。
前世的时候，意法半导体依托soi工艺在28纳米节点实现了主频高达3g赫兹的双核a9处理器，在手机实际应用中，其功耗比主频1.4gh中的四核a9处理器还低，有力地展示了soi工艺的优势。
这种soi工艺可以将工作电压降低至大约0.6V，而相比之下金属氧化物半导体工艺的最小极限值一般在0.9V左右，使用soi的后向偏置技术可以提供更宽动态范围的性能，因此特别适合移动和消费级多媒体应用。
作为重生的
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